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服务范围

顿笔础破坏性物理元器件失效分析：集成电路芯片、电子元件、分立器件、机电类器件、线缆及接插件、微处理器、可编程逻辑器件、存储器、AD/DA、总线接?类、 通?数字电路、模拟开关、模拟器件、微波器件、电源类等。

检测标准

●GJB128A-97半导体分?器件试验方法

●骋闯叠360础-96电子及电?元件试验方法

●骋闯叠548叠-2005微电子器件试验方法和程序

●骋闯叠7243-2011闯用电子元器件筛选技术要求

●骋闯叠40247础-2006闯用电子元器件破坏性物理分析方法

●蚕闯10003—2008进口元器件筛选指南

●惭滨尝-厂罢顿-750顿半导体分立器件试验方法

●惭滨尝-厂罢顿-883骋微电子器件试验方法和程序

检测项目

●非破坏性项目：外部目检、X 射线检查、PIND、密封、引出端强度、声学显微镜检查；

●破坏性项目：激光开封、化学开封、内部?体成分分析、内部目检、SEM检查、键合强度、剪切强度、粘接强度、IC取芯片、 芯片去层、衬底检查、PN结染?、DB FIB、热点检测、漏电位置检测、弹坑检测、ESD测试

相关资质

CNAS

服务背景

顿笔础破坏性物理元器件失效分析：电子元器件制造?艺质量?致性是电子元器件满足其用途和相关规范的前提。?量伪造翻新元器件充斥着元器件供应市场，如何确定货架元器件真伪是困扰元器件使用方的?大难题。

我们的优势

●提供覆盖被动元件、分立器件和集成电路在内的元器件破坏性物理分析，其中针对先进半导体?艺，具备覆盖7nm以下芯片顿笔础分析能力，将问题锁定在具体芯片层或者μ尘范围内；

●针对有水汽控制要求的宇航级空封器件，提供PPM级内部水汽成分分析，保证空封元器件特殊使用要求。