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详细介绍
| 品牌 | 九一糖心官方网站登录入口 | 服务区域 | 全国 |
|---|---|---|---|
| 服务周期 | 常规5-7个工作日 | 服务资质 | CMA/CNAS |
| 服务费用 | 视具体项目而定 |
服务背景
在第叁代半导体的代表中，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）目前是技术较为成熟的材料，*的性能使其在新一代运动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广泛的应用前景。SiC、GaN器件凭借杰出的系统性能，给许多应用带来更高的效率和功率密度，以及更低的系统成本。然而，与所有的新技术一样，SiC、GaN器件必须全面严格地遵循技术开发和产物质量检验程序。九一糖心官方网站登录入口特意推出第叁代半导体可靠性验证与评价服务，助力公司产物高效发展。
服务内容
九一糖心官方网站登录入口围绕JEDEC系列标准，从叁方面进行技术能力布局：
1、识别潜在的失效模式和失效机制，并根据目标寿命设计确认测试；
2、将样品置于适当的可靠性应力下，以加速激发潜在的失效机制；
3、完成加速应力后，对样品进行测试，以确定其性能是否仍可接受。
针对SiC分立器件和模块，九一糖心官方网站登录入口参照JEDEC、AECQ101及AQG324标准进行检测验证，能力不仅覆盖用于验证传统Si器件长期稳定性的所有方法，还开发了针对SiC器件不同运行模式的特定试验，见表1。
表1 SiC器件特定可靠性试验
| 试验 | 试验条件 |
| HV-H3TRB | VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h |
| 贬罢搁叠和负电压 | VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h |
| 动态贬3罢搁叠 | VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h |
| 动态反向偏压（顿搁叠） | VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h |
| 动态栅偏（顿骋厂） | 次数≥1011，dVGS/dt =1 V/ns，f ≥50 kHz，VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax，Ta=25°C |
| HTFB | 厂颈颁体二极管双极退化 |
CaN器件的质量及可靠性验证以JEDEC和AECQ101为基准进行，见表2，并针对GaN器件和Si基器件之间的差异实施表3试验。
表2 通用可靠性试验
| 试验 | 试验条件 |
| HTRB | Tj=150°C， VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h |
| HTGB | 罢箩=150°颁，痴骋厂=&辫濒耻蝉尘苍;100%，迟≥1000丑 |
| H3TRB | Tj=85°C，RH=85%，VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h |
| TC | -40°C to +125°C，≥1000cycles |
| HTS | 罢补=150°颁，迟≥1000丑 |
| IOL | DTj=100°C，2min on，2min off，≥5k cycles |
| ESD | HBM+CDM |
| MSL3 | Ta=60°C，RH=60%，t=40h，3x reflow cycles |
表3 CaN器件特定试验
| 试验 | 试验标准 |
| 开关加速耐久试验 | JEP122,JEP180 |
| 动态高温工作寿命 | |
| 动态搁诲辞苍测试 | JEP173 |
| 持续开关测试 | JEP182 |
九一糖心官方网站登录入口特意推出第叁代半导体可靠性验证与评价服务，助力公司产物高效发展。
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